[发明专利]一种双膜三室电解槽制备Mg-Al合金的方法和装置在审
| 申请号： | 202310378698.X | 申请日： | 2023-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN116479475A | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 杜荣斌;刘涛;吴夏;朱旭;朱正国;陈杨;方安玥 | 申请（专利权）人： | 安庆师范大学 |
| 主分类号： | C25C3/36 | 分类号： | C25C3/36;C25C7/02;C25C7/00 |
| 代理公司： | 合肥金律专利代理事务所(普通合伙) 34184 | 代理人： | 杨霞 |
| 地址： | 246000 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种双膜三室电解槽制备Mg‑Al合金的方法和装置，所述方法包括在由阳离子交换膜和阴离子交换膜为隔膜的双膜三室电解槽中，双膜三室电解槽被依次分隔为第一阳极室、阴极室和第二阳极室，以镁作为第一阳极室的阳极，以铝作为第二阳极室的阳极，以石墨作为阴极室的阴极，进行恒流电解，使第一阳极室产生的镁离子和第二阳极室产生的铝离子分别通过阳离子交换膜和阴离子交换膜迁移到阴极室中，在阴极室的阴极上沉积形成Mg‑Al合金。本发明采用双膜三室电解槽，以镁、铝作为阳极，石墨作为阴极，通过离子交换膜在阴极上实现了共沉积，形成具有良好性能和使用价值的Mg‑Al合金镀层，与现有技术相比，无污染，能耗低，电流效率较高，具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双膜三室 电解槽 制备 mg al 合金 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安庆师范大学，未经安庆师范大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310378698.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
