[发明专利]图像传感器在审
申请号: | 202310380792.9 | 申请日: | 2023-04-11 |
公开(公告)号: | CN116936588A | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 李周熹;任东模;梁至希;李泰宪;林智焄 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 李娜;王占杰 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 一种图像传感器包括:衬底;光电转换区域,所述光电转换区域位于所述衬底中,所述衬底在所述光电转换区域上限定衬底沟槽;浮置扩散区域,所述浮置扩散区域在所述衬底中与所述衬底沟槽的侧表面相邻;栅极电介质膜,所述栅极电介质膜沿着所述衬底沟槽的所述侧表面和下表面延伸;以及转移栅电极,所述转移栅电极包括在所述栅极电介质膜上填充所述衬底沟槽的一部分并且具有第一宽度的下栅极和位于所述下栅极上并且具有小于所述第一宽度的第二宽度的上栅极。所述栅极电介质膜包括下电介质膜和上电介质膜,所述下电介质膜介于所述衬底和所述下栅极之间并且具有第一厚度,所述上电介质膜与所述浮置扩散区域相邻并且具有大于所述第一厚度的第二厚度。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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