[发明专利]一种提高单晶硅首棒成晶率的长寿命石英坩埚在审
| 申请号： | 202310394700.2 | 申请日： | 2023-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN116377579A | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 李宗辉;王震;马力;张志强;马驰 | 申请（专利权）人： | 锦州佑鑫石英科技有限公司;曲靖开发区佑鑫石英有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/10 |
| 代理公司： | 北京易捷胜知识产权代理有限公司 11613 | 代理人： | 薛晓萌 |
| 地址： | 辽宁省锦州市*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高单晶硅首棒成晶率的长寿命石英坩埚，具有以下任一种特征：a、在石英坩埚透明层底壁内侧设置钡/锶涂层；b、用钡/锶掺杂石英砂原料制备石英坩埚透明层底壁；c、用金属杂质含量20‑50ppm的石英砂原料制备石英坩埚透明层底壁；d、用合成石英砂原料制备石英坩埚透明层底壁。本发明通过在石英坩埚透明层底壁设置钡/锶涂层或使用掺杂质的原料制备石英坩埚透明层底壁，使该位置受热后首先形成起保护作用的析晶层，析晶层形成时间早于多晶硅熔化流向坩埚底壁的时间，避免高温熔体对底壁的侵蚀，提高CZ法首根棒成晶率；本发明仅在底壁内侧中心区域设置钡涂层或用掺杂质的原料制备底壁，减少析晶产生速度，增加拉晶产出。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 单晶硅 首棒成晶率 寿命 石英 坩埚 | ||
【主权项】：
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