[发明专利]低残碱三元正极材料的制备方法及低残碱三元正极材料在审

专利信息
申请号: 202310397331.2 申请日: 2023-04-04
公开(公告)号: CN116259748A 公开(公告)日: 2023-06-13
发明(设计)人: 张鹏;尹文景;余城锋;王利华 申请(专利权)人: 浙江华友钴业股份有限公司
主分类号: H01M4/525 分类号: H01M4/525;H01M4/505;H01M10/0525;C01G53/00
代理公司: 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 代理人: 李萌
地址: 314500 浙江省嘉*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供了一种低残碱三元正极材料的制备方法及低残碱三元正极材料,该方法包括如下步骤:S1:提供三元前驱体,对所述三元前驱体进行破碎,使其成为纳微米颗粒,以得到作为添加剂的纳微米颗粒三元前驱体,所述三元前驱体的通式为:NixCoyMnz(OH)2,其中:x+y+z=1,0.6≤x1,0y1,0z1;S2:通过烧结的方式,将作为添加剂的纳微米颗粒三元前驱体与三元正极材料中的碱性物质发生反应。该三元正极材料的制备方法制得的三元正极材料能够在保证三元正极材料的放电容量、及循环稳定性的同时,有效地降低三元正极材料表面的残碱。
搜索关键词: 低残碱 三元 正极 材料 制备 方法
【主权项】:
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