[发明专利]一种基于应变调控的锗硅耦合量子阱电致折射率调制器在审
| 申请号： | 202310400677.3 | 申请日： | 2023-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN116482881A | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 孙军强;江佩璘 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G02F1/017 | 分类号： | G02F1/017;G02F1/015 |
| 代理公司： | 武汉红观专利代理事务所(普通合伙) 42247 | 代理人： | 陈凯 |
| 地址： | 430000 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种基于应变调控的锗硅耦合量子阱电致折射率调制器，包括衬底层、缓冲层、下隔离层、耦合量子阱区、上隔离层、盖帽层和N电极，绝缘介质层、右侧P电极、左侧P电极，还包括两个刻蚀窗口、脊形波导结构和悬空微桥结构，其中，衬底层具有悬空区域；耦合量子阱区包括多对五层耦合量子阱；两个刻蚀窗口对于脊形波导结构呈轴对称分布，两个刻蚀窗口之间的缓冲层、脊形波导结构、N电极、右侧P电极和左侧P电极形成悬空微桥结构。综上，本发明能够将量子阱区光吸收带边及电致折射率变化峰值移动至主流光通信C波段处，同时实现更大的电致折射率变化，使得电致折射率调制器调制效率更高且更具有实用性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 应变 调控 耦合 量子 阱电致 折射率 调制器 | ||
【主权项】：
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