[发明专利]一种C@MoSe2(1-x)S2x@NMWCNT三元异质结材料的合成方法在审

专利信息
申请号: 202310410300.6 申请日: 2023-04-18
公开(公告)号: CN116581258A 公开(公告)日: 2023-08-11
发明(设计)人: 邱仁华;王锋;杨寅材;卞梦茹 申请(专利权)人: 湖南大学
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/58;H01M4/62;B82Y30/00;B82Y40/00;H01M4/04;H01M10/054
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 410082 湖南省*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种用作钠离子电池负极的C@MoSe2(1‑x)S2x@NMWCNT复合纳米异质结材料的合成方法,本发明方以五氯化钼、Se、S、NMWCNT、乙二醇(聚乙二醇)为原料,通过超声分散和煅烧法合成C@MoSe2(1‑x)S2x@NMWCNT纳米复合异质结材料。与Se同主族的S原子容易掺杂到MoSe2晶格中形成少层的MoSe2(1‑x)S2x,并且MoSe2(1‑x)S2x层间间距会扩大,降低MoSe2(1‑x)S2x层间内的Na+迁移的势垒并提高钠离子的迁移能力,进而提高复合材料作为钠离子电池电极材料的倍率性能。该方法简单,能耗低、制备周期短、重复性高,MoSe2(1‑x)S2x、NMWCNT可分散度高,形貌均匀,活性位点多,活性材料利用率高,循环稳定性好(电流密度为100mA g‑1时440mA h g‑1)和良好的循环稳定性(电流密度为5A g‑1时500次循环后240mA h g‑1,1900次循环后180mA h g‑1);有利于实现规模化生产。
搜索关键词: 一种 mose2 s2x nmwcnt 三元 异质结 材料 合成 方法
【主权项】:
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