[发明专利]一种新型栅极总线结构的形成方法在审
| 申请号： | 202310414971.X | 申请日： | 2023-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN116504615A | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 马利奇;铃木键之;余恒文;李旻姝;洪吉文;郑英豪 | 申请（专利权）人： | 浙江萃锦半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423;H01L29/06;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 张恩慧 |
| 地址： | 315000 浙江省宁波市慈*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种新型栅极总线结构的形成方法，属于半导体技术领域，包括以下步骤：在衬底上形成N型外延层；在N型衬底的背面形成漏电极；在N型外延层内，形成了多个FET元胞14a和FET元胞14b，FET元胞14a各自形成为条形元胞，FET元胞14b在FET单元14a的两端处各自形成为方形的元胞；在通道基区内形成高浓度基区和高浓度N型漏区。本发明通过在栅极总线下方去除P区，形成了短条形元胞，既可以解决了电场集中问题，也提高器件的反向耐压性能，同时通过减少P区的形成，避免器件中寄生二极管的存在，提高了器件的可靠性，也减少一道注入工艺，降低生产成本；除此以外，还可以增加器件的导通面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 栅极 总线 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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