[发明专利]功率控制器件及其形成方法、PD芯片、光继电器组件在审
| 申请号： | 202310418789.1 | 申请日： | 2023-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN116613209A | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 陈益群;贾成涛;邓维平;宣传进;林清俤 | 申请（专利权）人： | 宁波群芯微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H03K17/785;H01L21/336;H01L31/102;H01L31/0352;H01L25/16 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张英英 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种功率控制器件及其形成方法、PD芯片、光继电器组件，所述功率控制器件包括：第一半导体衬底；多个屏蔽栅SGT沟槽，形成于所述第一半导体衬底内；场氧介质层以及包裹于所述场氧介质层内部的屏蔽电极，所述场氧介质层位于所述SGT沟槽的底部和下部侧壁表面；栅氧介质层，位于所述SGT沟槽的上部侧壁的表面；栅电极，位于所述SGT沟槽内的场氧介质层的表面；其中，控制所述功率控制器件开启的阈值电荷量小于基准功率控制器件的阈值电荷量；所述基准功率控制器件不具有所述场氧介质层以及包裹于所述场氧介质层内部的屏蔽电极。本发明有利于降低PD器件的尺寸和/或数量，进而实现整个光继电器组件的尺寸的减小。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 控制 器件 及其 形成 方法 pd 芯片 继电器 组件 | ||
【主权项】：
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