[发明专利]一种基于仿真的单晶涡轮叶片复合控制引晶技术在审
| 申请号： | 202310419279.6 | 申请日： | 2023-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN116604000A | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 卜昆;赵浩宇;牟升;任胜杰;王斌强;刘军;张瑞媛;白博贤;李哲旭;李翔 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | B22D27/04 | 分类号： | B22D27/04;B22C9/04;B22C9/28;G06F30/17;G06F30/20;G06F111/10;G06F119/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710072 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于仿真的单晶涡轮叶片复合控制引晶技术，属于单晶熔模铸造领域，用来解决叶身向缘板过渡区因截面尺寸突变引起温度场分布不均，导致叶片出现宏观杂晶缺陷的问题。该方法主要包含以下步骤：(1)通过Procast软件中CAFE功能模拟缘板杂晶形核位置；(2)通过凝固云图确定缘板边角冷却顺序；(3)结合杂晶形核位置和缘板边角凝固顺序添加工艺筋；(4)增大缘板边角模壳厚度，减小叶身与缘板的过渡区(热障区)模壳厚度；(5)对比使用本方法前后的叶片晶粒生长情况。与现有技术相比,本发明的优点在于:建立了一种基于仿真的单晶涡轮叶片复合控制引晶技术，根据杂晶形核位置,采用定点散热+定点保温的方法来控制截面尺寸突变处的温度场,对晶粒按照生长最优向生长起到了一定的促进作用，对因温度场分布不均引起宏观杂晶缺陷起到一定的调控作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 仿真 涡轮 叶片 复合 控制 技术 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西北工业大学，未经西北工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310419279.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种基于噪声特征分类的相位去噪方法
- 下一篇：质子泵抑制剂的新用途
