[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202310428122.X | 申请日： | 2023-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN116936523A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 白石信仁;铃村直仁 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 张宁;姚宗妮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开涉及一种半导体器件。该半导体器件包括第一层间绝缘膜和第二层间绝缘膜、第一布线和第二布线、以及电阻器膜。第一布线设置在第一层间绝缘膜上。第二层间绝缘膜包括第一层和第二层。第一层设置在第一层间绝缘膜上以覆盖第一布线。电阻器膜设置在第一层上。电阻器膜包括硅铬、引入有碳的硅铬、镍铬、氮化钛和氮化钽中的至少一种。第二层设置在第一层上以覆盖电阻器膜。第二布线设置在第二层上。在第二层间绝缘膜的厚度方向上，与第二布线相比，电阻器膜更靠近第一布线。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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