[发明专利]一种阈值电压正向偏移的氧化镓晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202310432436.7 | 申请日： | 2023-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN116344621A | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 刘子淳;马远骁;王业亮 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学;北京理工大学长三角研究院（嘉兴） |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/24;H01L29/423;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 胡剑辉 |
| 地址： | 100044 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种阈值电压正向偏移的氧化镓晶体管及其制备方法，氧化镓晶体管包括栅电极、栅介质层、沟道层、源电极和漏电极，其特征在于，所述栅介质层的材料选自高k栅介质材料；所述沟道层为至少具有氮掺杂的氧化镓沟道层，和/或，氧化镓/IGZO异质结沟道层。本发明通过对晶体管材料及其制备方法的相应改进，基于简单的工艺步骤，即可使制得的氧化镓晶体管保持高导通电流的同时在低偏置电压下快速开关，最终实现了具有小数值的正数阈值电压的增强型氧化镓晶体管，且整个制备过程的灵活性高，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阈值 电压 正向 偏移 氧化 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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