[发明专利]RRAM器件的制备方法在审
| 申请号： | 202310432634.3 | 申请日： | 2023-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN116709786A | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 崔凯;乔夫龙;赵刘明;张适杰;何兆兴 | 申请（专利权）人： | 昕原半导体(上海)有限公司;昕原半导体（杭州）有限公司;昕原半导体（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H10B63/00 | 分类号： | H10B63/00;H10N70/20;H10N70/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 卢炳琼 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区中国（上海）*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种RRAM器件的制备方法，采用低功率的IBE刻蚀，可有效简化工艺流程，有效去除侧壁BE造成的沾污，无需进行药液清洗步骤，可避免材料侧掏的现象，且低功率步骤对TE损伤较小，进一步的通过调整刻蚀过程中基底的倾斜角度，还可加强对侧壁的清理能力，从而提供一种低成本、高质量、高性能的RRAM器件的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | rram 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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