[发明专利]一种发光二极管及发光装置在审
| 申请号： | 202310436174.1 | 申请日： | 2023-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN116565089A | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 杨人龙;张平;林雅雯;黄事旺;张中英 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/14 |
| 代理公司： | 厦门加减专利代理事务所(普通合伙) 35234 | 代理人： | 杨泽奇 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管及发光装置。发光二极管包括半导体叠层、第一电极、第二电极、第一电流阻挡层，半导体叠层包括由下表面到上表面依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；第一电极位于第一半导体层上；第一电流阻挡层位于第一半导体层与第一电极之间；从发光二极管的上方朝半导体叠层俯视，第一电流阻挡层具有未与第一电极重叠的第二阻挡区；至少部分第二阻挡区设置于靠近第二电极一侧的第一电极局部边缘以外。本发明提供的发光二极管通过在第一电极位置对第一电流阻挡层进行设计，从而有效改善电场强度分布不均和电流聚集现象，提升发光二极管的光萃取能力和抗ESD冲击能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 发光 装置 | ||
【主权项】：
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