[发明专利]用于薄膜沉积的有机金属化合物及使用该化合物形成含第4族金属的薄膜的方法在审
申请号: | 202310440248.9 | 申请日: | 2023-04-23 |
公开(公告)号: | CN116949417A | 公开(公告)日: | 2023-10-27 |
发明(设计)人: | 池成俊;曹圭镐;白善英;郑主焕;李太荣;金信范;崔雄辰 | 申请(专利权)人: | EGTM有限公司 |
主分类号: | C23C16/18 | 分类号: | C23C16/18;C23C16/455 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠;张华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: |
根据本公开的示例,有机金属化合物由下式1表示,其在沉积含第4族金属的薄膜时用作前体,以提供高质量的含第4族金属的薄膜。[式1]#imgabs0#在式1中,M为Zr或Hf,R |
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搜索关键词: | 用于 薄膜 沉积 有机 金属 化合物 使用 形成 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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