[发明专利]一种半导体存储器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202310443431.4 | 申请日： | 2023-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN116761425A | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 张钦福 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 胡晓男;吴昊 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体存储器件及其制作方法，半导体存储器件包括衬底，衬底内包括多个有源区及相邻两个有源区之间的浅沟槽隔离；多条位线，相互分隔地设置在衬底上；位线触点，设置在位线下方并部分伸入有源区；间隙壁，设置在位线以及位线触点的侧壁上；衬垫层，沿着位线触点的外侧朝远离衬底的方向延伸，其中，衬垫层包括埋设在位线内的第一部份，第一部份沿位线延伸的方向相对设置在位线触点的两侧。如此，本发明实施例可以提供组件可靠度佳的半导体存储器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 存储 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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