[发明专利]SOT-MRAM存储单元及其制备方法在审
| 申请号： | 202310450021.2 | 申请日： | 2023-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN116456807A | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 杨美音;舒敬坤;罗军;李彦如 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/20;H10B61/00;H10N50/01 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 程杰 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请属于存储器件技术领域，具体涉及一种SOT‑MRAM存储单元及其制备方法。本申请中的存储单元包含衬底，设于衬底表面的重金属层，在重金属层上形成的磁性隧道结，以及位于磁性隧道结上方的硬掩膜，该磁性隧道结包含层叠的自由层、势垒层、参考层及钉扎参考层，其中，参考层、钉扎参考层及硬掩膜构成柱体，在柱体外周还形成有保护层。该存储单元具备大面积的不被硬掩膜遮盖的自由层，方便注入掺杂离子，在不需要额外增加电路复杂度及不易造成器件短路前提下，能够有效驱动自由层的磁化翻转。 | ||
| 搜索关键词： | sot mram 存储 单元 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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