[发明专利]刻蚀装置在审
| 申请号： | 202310454174.4 | 申请日： | 2023-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN116544141A | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 王宁;汤淼;黄彪彪;李俊生;汪洋;冬旻弘 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L33/00;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了一种刻蚀装置，属于电子制造技术领域。该刻蚀装置包括：反应腔、外延托盘、注液管路和旋转组件；所述外延托盘位于所述反应腔内，所述注液管路的出口端位于所述反应腔内，且所述出口端与所述外延托盘相对，所述注液管路用于注入刻蚀溶液；所述旋转组件位于所述反应腔内，且与所述外延托盘相连，用于驱动所述外延托盘转动。本公开能改善晶圆的边缘区域和中间区域刻蚀深度的不均的问题，提升晶圆的刻蚀质量。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
