[发明专利]一种TO247封装的碳化硅器件高速故障检测系统及方法在审

专利信息
申请号: 202310458162.9 申请日: 2023-04-26
公开(公告)号: CN116699460A 公开(公告)日: 2023-09-05
发明(设计)人: 陈骞;陆承宇;陆翌;裘鹏;倪晓军;丁超;许烽;郑眉;谢浩铠;干方宇 申请(专利权)人: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
主分类号: G01R31/52 分类号: G01R31/52;G01R1/18;G01R19/00
代理公司: 浙江翔隆专利事务所(普通合伙) 33206 代理人: 张建青
地址: 310014 浙江*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明公开了一种TO247封装的碳化硅器件高速故障检测系统及方法。本发明的检测系统包括TO247封装的SiC MOSFET芯片、TMR电流传感器和故障检测单元;所述的TMR电流传感器包含第一TMR桥臂、第二TMR桥臂和运算放大器,第一TMR桥臂与第二TMR桥臂关于中轴线对称;分别连接SiC MOSFET芯片漏极的左铜箔和芯片源极的右铜箔也关于中轴线对称;两个TMR桥臂共包含4个TMR电阻R1‑R4,构成桥式结构;所述的运算放大器与桥式结构连接;所述的TMR电流传感器与所述的故障检测单元连接,将获得的采样电流输入故障检测单元中,判断SiC MOSFET芯片是否有短路故障。本发明采用TMR电流传感器屏蔽外界磁场的干扰,实现了TO247封装的SiC MOSFET快速短路保护。
搜索关键词: 一种 to247 封装 碳化硅 器件 高速 故障 检测 系统 方法
【主权项】:
暂无信息
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