[发明专利]一种辐射复合效率高的发光二极管外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 202310461189.3 | 申请日： | 2023-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN116435424A | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 季永杰 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种辐射复合效率高的发光二极管外延片及其制备方法，包括：衬底，在所述衬底上依次沉积的缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层、有源层、电子阻挡层和p型GaN层；所述有源层包括周期性依次交替层叠的复合量子阱层和量子垒层，所述复合量子阱层为InGaN层，单个周期内的所述复合量子阱层的禁带宽度不变，不同周期内的所述复合量子阱层的禁带宽度沿外延生长方向由宽变窄线性渐变。在本发明中，通过使不同周期内的复合量子阱层的禁带宽度沿外延生长方向由宽变窄线性渐变，提高了复合量子阱的晶体质量，减少InGaN失配位错，即减少了非辐射复合中心，提高了量子阱辐射复合效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 辐射 复合 效率 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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