[发明专利]对称微分负阻特性的氮化物共振隧穿二极管及制作方法在审
| 申请号： | 202310465347.2 | 申请日： | 2023-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN116705862A | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 薛军帅;袁金渊;李泽辉;吴冠霖;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/88 | 分类号： | H01L29/88;H01L21/329;H01L29/205;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/50 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种对称微分负阻特性的氮化物共振隧穿二极管，主要解决现有无极化氮化镓共振隧穿二极管可靠性和一致性差、峰值谷值电流比低的问题。其自下而上包括衬底、发射极欧姆接触层、底部共振隧穿二极管、并联层、顶部共振隧穿二极管、集电极欧姆接触层和集电极，并联层上设有栅极，发射极欧姆接触层上设有发射极。底部和顶部共振隧穿二极管通过外延生长实现，集电极和发射极互联，与栅极形成并联结构。栅极偏压为正时，底部共振隧穿二极管导通出现微分负阻效应而顶部共振隧穿二极管截止；栅极偏压为负时，顶部共振隧穿二极管导通出现微分负阻效应而底部共振隧穿二极管截止。本发明的微分负阻特性对称，性能一致性高，可用于高速数字电路。 | ||
| 搜索关键词： | 对称 微分 特性 氮化物 共振 二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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