[发明专利]一种高性能DFB激光器外延片结构与制备方法在审
| 申请号： | 202310468739.4 | 申请日： | 2023-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN116565688A | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 吕军;曹明德;余雪平;钟满意;程文涛;黄晓东;赵建宜;罗飚 | 申请（专利权）人： | 武汉光迅科技股份有限公司;湖北光谷实验室 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/34 |
| 代理公司： | 深圳市爱迪森知识产权代理事务所(普通合伙) 44341 | 代理人： | 何婷 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高性能DFB激光器外延片结构与制备方法，通过在DFB激光器外延片的AlGaInAs混合多量子阱层中设置两种或者两种以上类型的势垒层，不同类型的势垒层的带隙高度不同，不同类型的势垒层的带隙高度于AlGaInAs混合多量子阱层中自下而上渐变式减小，使得空穴载流子从AlGaInAs混合多量子阱层顶端向下遂穿时，上端的空穴更容易遂穿，从而保证空穴能够遂穿至AlGaInAs混合多量子阱层下端，从而提高微分增益，获得相对更高的调制带宽。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 性能 dfb 激光器 外延 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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