[发明专利]闪存器件的制造方法在审
| 申请号： | 202310471124.7 | 申请日： | 2023-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN116322051A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 于涛;李冰寒 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/30 | 分类号： | H10B41/30 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 张亚静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种闪存器件的制造方法，在衬底上依次形成浮栅材料层、擦除栅材料层和硬掩模层；通过第一光刻及刻蚀工艺在硬掩模层和擦除栅材料层内形成暴露浮栅材料层的第一开口；在所述第一开口内填充第一侧墙材料层；通过第二光刻及刻蚀工艺在第一侧墙材料层和浮栅材料层内形成暴露衬底的第二开口，剩余的第一侧墙材料层形成第一侧墙；在所述第二开口内形成源线；通过第三光刻及刻蚀工艺去除部分所述硬掩模层及其下方的擦除栅材料层及浮栅材料层，以在所述源线两侧形成浮栅及擦除栅。本发明通过多次光刻及刻蚀工艺分别形成第一开口、第二开口以及浮栅和擦除栅的形貌，简化了闪存器件的工艺步骤，降低了闪存器件的整体高度。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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