[发明专利]一种SiH4在审

专利信息
申请号: 202310471138.9 申请日: 2023-04-27
公开(公告)号: CN116682738A 公开(公告)日: 2023-09-01
发明(设计)人: 余振富;黄海龙;林冰冰;陈彦均;杨朝胜 申请(专利权)人: 福建华佳彩有限公司
主分类号: H01L21/443 分类号: H01L21/443;H01L21/02;H01L29/51;H01L29/786
代理公司: 福州市京华专利代理事务所(普通合伙) 35212 代理人: 宋连梅
地址: 351100 福*** 国省代码: 福建;35
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 一种SiH4BaseSiOx绝缘膜的制备方法,包括如:将待沉积SiH4BaseSiOx绝缘层的基板透过真空传送机构置入CVD真空腔体;同时通入SiH41730sccm,N2O4660sccm,透过调压阀将腔体压力控制在1350mtorr;以7900W输出功率透过等离子体Plasma解离制程气体形成SiH4BaseSiOx薄膜沉积在玻璃基板上;沉膜完成之后关闭等离子体系统并将腔体内SiH4、N2O气体排出。本发明方法制备的是一种使用在半导体层和栅极金属层间的非金属膜SiH4BaseSiOx,此膜质特点为可以有效补偿栅极金属层在高温制程影响下产生的张应力形变,膜质覆盖性佳与金属层的搭配性强。
搜索关键词: 一种 sih base sub
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建华佳彩有限公司,未经福建华佳彩有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202310471138.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top