[发明专利]二氧化钒微结构图案及激光直写制备方法在审
| 申请号： | 202310471238.1 | 申请日： | 2023-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN116500868A | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 周鑫;顾德恩;包翔;赵天成;刘云波;申淼;蔡丹;蒋亚东 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;C23C14/35;C23C14/08;C23C14/58 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二氧化钒微结构图案及激光直写制备方法。先通过反应磁控溅射，利用纯V靶在衬底上制备非晶氧化钒薄膜，然后将非晶氧化钒薄膜固定于激光加工平台，利用激光照射物体表面产生的高温效应对非晶氧化钒薄膜进行直写退火，经过激光直写的区域将由非晶的氧化钒结构转化为具备相变特性的二氧化钒微结构图案，通过激光加工平台的位移装置能够对二氧化钒微结构图案的形状进行直接调控。本发明的直写方法简单高效，溅射时基片温度低，溅射的工作气压以及氧氩比跨度大，工艺简单易重复。激光直写退火可以直写制备线宽小于8μm的二氧化钒微结构图案，通过调整位移平台可以对图案结构进行任意搭配和变化，制备工艺简单，设备依赖低。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 微结构 图案 激光 制备 方法 | ||
【主权项】：
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