[发明专利]一种碳化硅二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 202310487351.9 | 申请日： | 2023-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN116487257A | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 陈孝安 | 申请（专利权）人： | 深圳智慧脑科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/872;H01L29/06;H01L29/16 |
| 代理公司： | 深圳市中融创智专利代理事务所(普通合伙) 44589 | 代理人： | 李朦;叶垚平 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区粤海街道滨海*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅二极管的制造方法，包括以下步骤：采用光刻、刻蚀工艺去除第三设定区域的第四氧化层，以第四氧化层为掩蔽层，采用干法刻蚀工艺在碳化硅外延层之中形成第二沟槽；所述第三设定区域位于器件的元胞区，且与上述第一设定区域完全不重合，即在元胞区的第一设定区域之外形成所述第二沟槽；去除所述第四氧化层，采用湿法腐蚀的工艺去除；生长第五氧化层，采用光刻、刻蚀工艺去除元胞区的第五氧化层；采用物理气相淀积工艺，生长金属钛，采用合金工艺使得金属钛与元胞区的碳化硅外延层表面形成肖特基势垒。本发明提供的一种碳化硅二极管及其制造方法具备提升器件的反向耐压、减小正向压降等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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