[发明专利]半导体元件及其制作方法在审
| 申请号： | 202310488305.0 | 申请日： | 2018-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN116583165A | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 陈禹钧;冯雅圣;邱久容;林宏展 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/01;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王锐 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件主要包含一磁性隧穿接面(magnetic tunneling junction,MTJ)设于一基底上，一第一间隙壁设于MTJ一侧以及一第二间隙壁设于MTJ另一侧，其中第一间隙壁及第二间隙壁为不对称结构。更具体而言，MTJ又细部包含一第一下电极设于一金属内连线上、一阻障层设于下电极上以及一上电极设于阻障层上，其中第一间隙壁上表面切齐该上电极上表面，且第二间隙壁上表面低于该上电极上表面并高于该阻障层上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司，未经联华电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310488305.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
