[发明专利]一种提高磁场耦合与抗轴向偏移的感应耦合器在审

专利信息
申请号: 202310489151.7 申请日: 2023-05-04
公开(公告)号: CN116446858A 公开(公告)日: 2023-07-18
发明(设计)人: 董亮;曾渺;宿钰明;马杰;赵欣;杨建桥;张嘉豪;张弛;秦铭澳;蒋文龙 申请(专利权)人: 西南交通大学
主分类号: E21B47/13 分类号: E21B47/13;H01F38/14
代理公司: 昆明合盛知识产权代理事务所(普通合伙) 53210 代理人: 贺博
地址: 610031 四*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明公开的一种提高磁场耦合与抗轴向偏移的感应耦合器,所述感应耦合器包括至少两个原线圈、副线圈,所述副线圈两端平齐套置于原线圈内,相邻的所述原线圈、副线圈均以所述外侧钻杆中心为轴等间距环绕布置。所述原、副线圈内均通有电流方向相同的环形电流,所述环形电流的中心轴与所述外侧钻杆中心轴垂直从而引导耦合磁场。本发明通过方形线圈感应耦合器的设计优化,结合串联布置从而实现内部磁场加强、S‑S补偿电路的应用、减小耦合机构旋转时的角度偏移、抗轴向偏移能力强以及内部互感对谐振频率的影响减小等方面。通过前述优化措施可以提高线圈之间的耦合能力,减小外部干扰和损耗,提高传输效率和距离。
搜索关键词: 一种 提高 磁场 耦合 轴向 偏移 感应 耦合器
【主权项】:
暂无信息
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