[发明专利]一种MEMS传感器的制作方法

摘要

本发明提供一种MEMS传感器的制作方法，包括：在硅片上沉积一层隔离层；利用多晶硅在隔离层上制作得到凸台和腐蚀引线，作为牺牲层；在具有牺牲层的硅片上沉积一层低应力氮化硅，作为结构层和敏感膜片；刻蚀得到腐蚀释放孔；使XeF2气体透过腐蚀释放孔对牺牲层进行腐蚀，在观察到凸台的颜色全部变化时停止腐蚀，将硅片清洗干净并烘干；在腐蚀释放孔处沉积氮化硅‑二氧化硅‑氮化硅多层材料，得到封堵层，来封堵所述腐蚀释放孔。本发明的方法采用多晶硅填充作为牺牲层，并且采用XeF2对牺牲层进行腐蚀，速率更快更容易控制，而且也不会因腐蚀传感器结构层等其他部分而导致器件损坏，提高了器件的成品率。