[发明专利]一种利用四甲基硫脲修饰宽带隙钙钛矿太阳能电池的方法在审
| 申请号： | 202310492365.X | 申请日： | 2023-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN116456787A | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 孙喆;王浩;邸志超 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | H10K71/00 | 分类号： | H10K71/00;H10K30/88;H10K30/40;H10K30/50 |
| 代理公司： | 天津耀达律师事务所 12223 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300384 天津市西青*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本发明公开了一种利用四甲基硫脲修饰宽带隙钙钛矿太阳能电池的方法，属于宽带隙钙钛矿太阳能电池光伏领域。该方法是将0.01M～0.2M的四甲基硫脲溶液旋涂于电子传输层与宽带隙钙钛矿层之间，四甲基硫脲能促进宽带隙钙钛矿的晶体生长，钝化界面缺陷，增强界面电荷的提取和传输，从而明显提升了宽带隙钙钛矿太阳能电池的性能，得到了开路电压(V |
||
| 搜索关键词： | 一种 利用 甲基 硫脲 修饰 宽带 隙钙钛矿 太阳能电池 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津理工大学，未经天津理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310492365.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
