[发明专利]一种多电源域全芯片ESD保护架构在审

专利信息
申请号: 202310498133.5 申请日: 2023-05-05
公开(公告)号: CN116937521A 公开(公告)日: 2023-10-24
发明(设计)人: 王小明;乐立鹏;方新嘉;庞敏;王伊卜 申请(专利权)人: 北京微电子技术研究所;北京时代民芯科技有限公司
主分类号: H02H9/04 分类号: H02H9/04;H01L27/02;H02H7/20
代理公司: 北京市恒有知识产权代理事务所(普通合伙) 11576 代理人: 郭文浩;尹文会
地址: 100076 北*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明属于芯片架构领域,具体涉及了一种多电源域全芯片ESD保护架构,旨在解决现有技术未从全芯片的全方位保护着手,芯片的抗ESD能力尚达不到预期的问题。本发明包括:分别设置于芯片输入输出端口区和芯片核心区的多个ESD电源钳位电路,用于形成ESD电流的低阻抗泄放通路,钳位电源总线电压低于设定值;分别设置于多电源域全芯片的各电源域之间轨间电路,用于形成不同电源域之间的ESD电流的低阻抗泄放通路;分别设置于芯片输入输出端口环与芯片核心区的设定位置的多组ESD防护电路构成的ESD电源网络,用于消除电源线、地线寄生电容及电阻对ESD的负面影响。本发明提高了整个芯片的抗ESD能力,达到了对整个芯片提供全方位保护的目的。
搜索关键词: 一种 电源 芯片 esd 保护 架构
【主权项】:
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