[发明专利]一种扩晶设备及扩晶方法在审
| 申请号： | 202310503201.2 | 申请日： | 2023-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN116631905A | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 孙勇;肖海苹;徐志刚 | 申请（专利权）人： | 深圳市博辉特科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;B65H18/10 |
| 代理公司： | 北京科创易佰知识产权代理事务所(普通合伙) 16113 | 代理人： | 刘珍 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华区观*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种扩晶设备及扩晶方法，包括底板架、矩形框架和扩晶模块，所述底板架上端中部安装有矩形框架，矩形框架前端设置有开口，矩形框架内壁上均匀设置有离子风机，矩形框架中部安装有扩晶模块。本发明中设置了内扩晶环和外扩晶环，内扩晶环和外扩晶环之间相互配合卡紧，使得蓝膜可以准确的卡接在外扩晶环与内扩晶环之间的缝隙内，避免蓝膜发生滑动的现象，提高蓝膜与外扩晶环和内扩晶环之间的摩擦力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 设备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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