[发明专利]用于半桥型氮化镓栅极驱动器的高侧供电电路和供电方法在审

专利信息
申请号: 202310506138.8 申请日: 2023-05-06
公开(公告)号: CN116937946A 公开(公告)日: 2023-10-24
发明(设计)人: 胡一凡;王勇;王瑛;彭领;孔瀛 申请(专利权)人: 北京微电子技术研究所;北京时代民芯科技有限公司
主分类号: H02M1/088 分类号: H02M1/088;H02M1/32;H02M3/07;H03K17/687
代理公司: 北京市恒有知识产权代理事务所(普通合伙) 11576 代理人: 郭文浩;尹文会
地址: 100076 北*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明属于集成电路领域,具体涉及了一种用于半桥型氮化镓栅极驱动器的高侧供电电路和供电方法,旨在解决现有的供电电路稳定性不足的问题。本发明包括:依次连接的自举钳位稳压电路和HS负偏压能力提升电路;自举钳位稳压电路包括:低压电平位移电路、驱动电路、开关PMOS管、高压自举二极管DBST1和线性稳压器;HS负偏压能力提升电路包括:自举电容CBST、三通道集成自举子电路、高压电平位移电路、RS触发器和高侧输出驱动电路。本发明使高侧电源HB与高侧地HS之间的压差保持为恒定的5V,实现对GaN器件栅极的钳位保护,通过三通道集成电路避免电平位移电路的电源随HS变负而下降,提升电平位移电路的抗HS负偏压能力。
搜索关键词: 用于 半桥型 氮化 栅极 驱动器 供电 电路 方法
【主权项】:
暂无信息
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