[发明专利]一种SiC MOSFET器件在审
| 申请号： | 202310511148.0 | 申请日： | 2023-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN116487440A | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 罗军;李海荣;刘晨星;丰蜜;李帅;唐健博;李俊峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张静 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种SiC MOSFET器件，通过在外延层背离衬底的表面设置沟槽，且沟槽内设置栅极和位于栅极靠近漏极一侧的屏蔽栅，从而在栅极和漏极之间引入屏蔽栅，减小栅极和漏极之间的交叠面积，进而减小栅漏电容。并且，设置屏蔽栅包括沿垂直于沟槽底部的方向层叠的至少两层掺杂层，且相邻两层掺杂层的掺杂类型相反，屏蔽栅中最靠近沟槽底部的一层掺杂层或最远离沟槽底部的一层掺杂层与源极电连接，使得屏蔽栅中相邻两层掺杂层形成PN结，而PN结的结电容的引入，使得屏蔽栅与漏极之间的电容有了降低的空间，因此，本申请所提供的SiC MOSFET器件，可以在减小栅漏电容的同时解决源漏电容过大的问题，进而可以减小开关损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic mosfet 器件 | ||
【主权项】：
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