[发明专利]一种基于母线电压检测的SiC MOSFET管的短路保护方法在审

专利信息
申请号: 202310517219.8 申请日: 2023-05-09
公开(公告)号: CN116565807A 公开(公告)日: 2023-08-08
发明(设计)人: 季金炎;李飞;姚欣 申请(专利权)人: 河南嘉晨智能控制股份有限公司
主分类号: H02H7/122 分类号: H02H7/122
代理公司: 郑州科维专利代理有限公司 41102 代理人: 李天霞;赵继福
地址: 450000 河南省郑州市*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明公开了一种基于母线电压检测的SiC MOSFET管的短路保护方法,本发明的snubber电路,能够快速的检测出Sic‑MOSFET发生桥臂故障时snubber电路的电容电压变化,可以更快、更准确地反映实际情况,利于器件保护;电压VRef和电压Vsense的两路构成的分压比例不同,正常工作的时候,电压Vref要低于电压Vsense,比较器输出是低电平;当发生短路故障时,snubber电路电压会迅速降低,电压Vref由于电阻R6和电容C7的存在,基本保持不变,电阻R5、电阻R8、电容C4、电容C6构成的高带宽采样电路会迅速反应电压变化,实现比较器翻转,使能信号Enable发生翻转。
搜索关键词: 一种 基于 母线 电压 检测 sic mosfet 短路 保护 方法
【主权项】:
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