[发明专利]一种利用三氯化磷合成磷化铟外延薄膜晶片的生产工艺在审
| 申请号： | 202310522657.3 | 申请日： | 2023-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN116479529A | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 黄小华;聂林涛 | 申请（专利权）人： | 陕西铟杰半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/14;H01L21/02;H01L21/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 727031 陕西省铜川市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用三氯化磷合成磷化铟外延薄膜晶片的生产工艺，一种利用三氯化磷合成磷化铟薄膜晶片的生产工艺，将石英反应管放在气相外延反应腔中，以盛装砷化镓晶圆衬底的石英舟放置于反应腔中源区，通入高纯氢气，缓慢加热三氯化磷储罐至100~110℃，使得储罐中的三氯化磷气化，联通三氯化磷储罐、氢气储罐、石英反应管，通过氢气鼓泡将三氯化磷引入到石英反应管中，持续通入过量氢气并缓慢加热到700~800℃，在上述温度和压力下，在铟源上方将持续发生歧化反应生成磷化铟薄膜晶片。本发明提供了一种磷化铟薄膜晶片的工艺路线，可以生成满足特定需求的晶片材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 氯化 合成 磷化 外延 薄膜 晶片 生产工艺 | ||
【主权项】：
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