[发明专利]用于形成封装件的方法以及封装件结构在审
| 申请号： | 202310528841.9 | 申请日： | 2023-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN116884857A | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 吴志伟;施应庆;邱文智 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/498;H01L23/528;H01L23/532;H01L25/16 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 根据本申请的实施例，提供了一种用于形成封装件的方法包括形成第一封装组件，形成第一封装组件包括形成具有第一顶表面的第一介电层，以及形成第一导电部件。第一导电部件包括嵌入在第一介电层中的通孔，以及具有高于第一介电层的第一顶表面的第二顶表面的金属凸块。该方法还包括分配光敏层，其中光敏层覆盖金属凸块，并且执行光刻工艺以在光敏层中形成凹槽。金属凸块暴露于凹槽，并且光敏层具有高于金属凸块的第三顶表面。第二封装组件接合到第一封装组件，并且焊料区域延伸到凹槽中以将金属凸块接合到第二封装组件中的第二导电部件。根据本申请的其他实施例，还提供了封装件结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 封装 方法 以及 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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