[发明专利]一种高性能氮化镓基激光器及其N型GaN层和生长方法有效
| 申请号： | 202310531318.1 | 申请日： | 2023-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN116247506B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 印新达;张振峰 | 申请（专利权）人： | 武汉鑫威源电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01S5/30 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 吴静 |
| 地址： | 430200 湖北省武汉市江夏区文*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明涉及半导体激光器技术领域，具体涉及一种高性能氮化镓基激光器及其N型GaN层和生长方法，包括Al |
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| 搜索关键词： | 一种 性能 氮化 激光器 及其 gan 生长 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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