[发明专利]一种基于LTCC的载片电阻阵列结构在审
申请号: | 202310532411.4 | 申请日: | 2023-05-10 |
公开(公告)号: | CN116741768A | 公开(公告)日: | 2023-09-12 |
发明(设计)人: | 董刚;周子煜;朱樟明;杨银堂 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院 |
主分类号: | H01L27/01 | 分类号: | H01L27/01;H01L23/64;H01L21/70 |
代理公司: | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 万艳艳 |
地址: | 401331 重庆市沙坪*** | 国省代码: | 重庆;50 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开了一种基于LTCC的载片电阻阵列结构,包括LTCC载片、焊盘、电阻以及电阻的电连接端;其中,若干电阻设置在LTCC载片的正反面,分别形成电阻阵列;焊盘设置在LTCC载片上且与电阻两端连接;焊盘通过LTCC载片的内部布线将电阻的电连接端引出至LTCC载片的边缘。该结构实现了高密度的电阻集成,电阻集成密度相比较常规的表贴方式提高238%;且具有良好的可靠性和优良的电阻性能,能够满足厚膜电阻行业以及模块电性能的需求。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 ltcc 电阻 阵列 结构 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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