[发明专利]GaN HEMT器件制备方法及GaN HEMT器件在审
| 申请号： | 202310540438.8 | 申请日： | 2023-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN116631960A | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 李亦衡;朱廷刚;武乐可;王强;黄克强;秦佳明;魏鸿源;夏远洋 | 申请（专利权）人： | 江苏能华微电子科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 吴芳 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN HEMT器件制备方法及GaN HEMT器件，制备方法包括：在蓝宝石衬底上生长缓冲层；在缓冲层上生长GaN通道层；在通道层上生长AlGaN阻挡层，且通道层与阻挡层之间的异质结界面处形成2DEG；从阻挡层向下刻蚀至通道层以形成两个凹槽，并分别将源极电极、漏极电极设置在凹槽中；在阻挡层上设置栅极电极；将蓝宝石衬底研磨至厚度小于或等于350μm，及在GaN HEMT器件上远离蓝宝石衬底的一侧形成钝化层；在钝化层的表面设置热扩散层，且热扩散层与2DEG处的有源器件通道区域在器件厚度方向的投影上至少部分重合，兼顾器件在蓝宝石衬底上的正常运行以及热扩散层的导热系数。 | ||
| 搜索关键词： | gan hemt 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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