[发明专利]一种厘米级单晶单层的MoS2

摘要

本发明公开了一种厘米级单晶单层的MoS2薄膜及其快速制备方法，将C/A‑蓝宝石衬底与Mo源置于管式炉的中心区，其中C/A‑蓝宝石衬底位于相比Mo源更靠近管式炉的上游的位置，且C/A‑蓝宝石衬底与Mo源的间距≤3cm，将S源置于管式炉的上游，然后通过化学气相沉积即得MoS2薄膜，所述Mo源由Mo箔以及夹在两片Mo箔中间的混合粉末组成，所述混合粉末由MoO3粉与NaCl粉组成。本发明只需2min左右生长保温时间，即可以获得高质量厘米级单晶单层的MoS2薄膜。相对于现有技术，生长时间大幅缩短。本发明有效解决了现有技术中厘米级单晶单层MoS2薄膜的生长速度慢，合成时间长的难题。