[发明专利]近空间升华法用CdZnTe生长源的处理方法在审
| 申请号： | 202310548688.6 | 申请日： | 2023-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN116926665A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 曹昆;刘宇;查钢强;李颖锐;姜然;刘佳虎 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学;深圳翱翔锐影科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B23/06;C30B29/48 |
| 代理公司： | 深圳昊生知识产权代理有限公司 44729 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 710000 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了近空间升华法用CdZnTe生长源的处理方法。该近空间升华法用CdZnTe生长源的处理方法包括以下步骤：S1、CdZnTe晶锭切割，选取CdZnTe晶锭，并将所述CdZnTe晶锭切割成标准厚度的圆片；S2、CdZnTe生长源打磨；S3、CdZnTe生长源清洗腐蚀，对CdZnTe生长源依次进行清洗腐蚀动作；S4、预蒸发程序设置；S5、预蒸发；S6、超声清洗；S7、外延膜生长。未经过本发明处理的生长源通过近空间升华法长时间加热生长只会得到多晶膜，而采用本发明处理后的生长源由于预蒸发过程会去除生长源表面的损伤层会得到更大单晶面积的外延单晶膜。相较于CdZnTe多晶膜，CdZnTe外延单晶膜没有晶界，因而具有更好的载流子输运性能，光电性能提高，能谱性能提高。 | ||
| 搜索关键词： | 空间 升华 cdznte 生长 处理 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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