[发明专利]异质结双极晶体管器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202310553951.0 | 申请日： | 2023-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN116632055A | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 何鹏;潘林;袁海旭;杨磊 | 申请（专利权）人： | 常州承芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李娟 |
| 地址： | 213166 江苏省常州市武*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种异质结双极晶体管器件及其形成方法，其中结构包括：凸起结构还包括第一失效区、第二失效区和位于第一失效区和第二失效区之间的有效区，第一失效区、有效区和第二失效区沿第二方向排布，第二方向平行于集电基底层表面，第一方向与第二方向相互垂直，其中，凸起结构的底部在沿第二方向上的尺寸大于凸起结构的顶部在沿第二方向上的尺寸，第一失效区的底部在沿第二方向上的尺寸大于第一失效区的顶部在沿第二方向上的尺寸，第二失效区的底部在沿第二方向上的尺寸大于第二失效区的顶部在沿第二方向上的尺寸，有利于减小因势垒区引发的寄生电容，进而提高器件的射频性能。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结 双极晶体管 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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