[发明专利]基于HOEtMIM[Cl]的无电子传输层钙钛矿太阳能电池及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202310557065.5 申请日: 2023-05-17
公开(公告)号: CN116568053A 公开(公告)日: 2023-08-08
发明(设计)人: 黄帅;关宝璐 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: H10K30/82 分类号: H10K30/82;H10K85/50;H10K71/00;H10K71/60;H10K30/80
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 程琛
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及钙钛矿光伏器件技术领域,具体为一种基于HOEtMIM[Cl]的无电子传输层钙钛矿太阳能电池及其制备方法,包括依次贴合设置的透明导电基底、钙钛矿层、空穴传输层以及金属电极;其中,所述透明导电基底与所述钙钛矿层相邻的一侧经1‑羟乙基‑3‑甲基咪唑氯盐修饰。本发明利用HOEtMIM[Cl]对刚性或柔性导电基底进行改性,调控透明导电基底和钙钛矿界面能级结构,改善电子提取和收集,降低载流子复合;同时钝化埋底界面缺陷,提高钙钛矿薄膜的结晶度,进而改善无电子传输层钙钛矿太阳能电池的光电转换效率和长期稳定性。本发明器件结构简单,成本低,易于低温制备,具有广阔的应用前景。
搜索关键词: 基于 hoetmim cl 电子 传输 层钙钛矿 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
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