[发明专利]一种具有超结结构的PiN型中子探测器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种具有超结结构的PiN型中子探测器及其制备方法，探测器包括：第一掺杂类型衬底层、若干第一掺杂类型外延区、若干第二掺杂类型外延区、第二掺杂类型外延层、第一欧姆接触电极、第二欧姆接触电极和中子转换材料单元，若干第一掺杂类型外延区和若干第二掺杂类型外延区均位于第一掺杂类型衬底层的一侧，且交替排列；第二掺杂类型外延层位于第一掺杂类型外延区和第二掺杂类型外延区形成的平面上；第一欧姆接触电极位于第二掺杂类型外延层的一侧；第二欧姆接触电极位于第一掺杂类型衬底的另一侧；中子转换材料单元位于第一欧姆接触电极的一侧表面。该探测器实现了降低全耗尽电压、优化内部电场分布、提高器件可靠性的目的。