[发明专利]一种应用于自毁芯片的含能二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202310561759.6 | 申请日： | 2023-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN116631949A | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 沈瑞琪;杨佳璐;胡嘉恒;许建兵;叶迎华;胡艳;张伟 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L29/861;H01L21/34 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 张玲 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于自毁芯片领域，具体涉及一种应用于自毁芯片的含能二极管及其制备方法。包括依次设置的底层材料，中间层材料和顶层材料；底层材料和中间层材料构成铝热剂型的含能材料区，中间层材料和顶层材料构成半导体材料区，即中间层材料和顶层材料形成P‑N结；中间层材料为铝热剂中的金属氧化物型的氧化剂的一种或任几种的组合，且组成中间层材料的金属氧化物为同种类型的半导体材料。本发明将半导体材料和含能材料结合，制备出了具有逻辑性和能量性双重功能的含能二极管，可以实现芯片常规功能的同时，在预定条件下能释放能量完成芯片自毁，达到保护芯片的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 自毁 芯片 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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