[发明专利]一种高光效发光二极管外延片及其制备方法、LED有效

专利信息
申请号: 202310564897.X 申请日: 2023-05-19
公开(公告)号: CN116314496B 公开(公告)日: 2023-07-21
发明(设计)人: 程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 申请(专利权)人: 江西兆驰半导体有限公司
主分类号: H01L33/02 分类号: H01L33/02;H01L33/26;H01L33/00
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 季永杰
地址: 330000 江西省南昌市*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 发明提供了一种高光效发光二极管外延片及其制备方法、LED,该外延片包括衬底以及依次沉积在所述衬底上的第一半导体层、有源层以及第二半导体层;所述有源层包括M个周期性交替排布的势阱层以及复合势垒层,所述复合势垒层包括沿着外延方向依次层叠的第一势垒子层、第二势垒子层与第三势垒子层,所述第一势垒子层包括沿着外延方向依次层叠的GaN层与Ga2O3层,所述第二势垒子层为N型AlGaON层,所述第三势垒子层为BInGaN层,本发明提高复合势垒层的势垒高度,减少电子溢流,降低有源层极化效应,提高有源层的发光效率。
搜索关键词: 一种 高光效 发光二极管 外延 及其 制备 方法 led
【主权项】:
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