[发明专利]减少半导体封装结构发生连锡的方法在审
| 申请号： | 202310565208.7 | 申请日： | 2023-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN116682740A | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | 周潇君;汤霁嬨 | 申请（专利权）人： | 苏州震坤科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60;H01L21/78;H01L21/67;H01L23/495;H01L23/49 |
| 代理公司： | 苏州三英知识产权代理有限公司 32412 | 代理人： | 席勇 |
| 地址： | 215123 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种减少半导体封装结构发生连锡的方法，其步骤包括：使用完成封装且未切割的封装导线架，所述封装导线架包括导线架及封装胶体，所述导线架包括晶粒座、多个引脚以及与多个引脚相连的连接肋，所述连接肋为具有双层且由不同尺寸的底层筋及连筋所构成，所述连筋相接于所述引脚且连接处的宽度小于所述引脚的最大宽度；进行第一次切割，切除所述连接肋的所述底层筋，仅残留所述连筋，每个所述连筋仍相连于所述引脚；进行电镀作业，使所述引脚、所述连筋外露表面形成金属层；进行第二次切割，去除所述连接肋的连筋，形成已封装完成的单一半导体结构，借此减少发生连锡的机会，提升工艺良率。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 半导体 封装 结构 发生 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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