[发明专利]一种多态相边界动态随机存储器件及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202310566279.9 申请日: 2023-05-19
公开(公告)号: CN116322044B 公开(公告)日: 2023-08-08
发明(设计)人: 周久人;孙温馨;韩根全;郝跃 申请(专利权)人: 西安电子科技大学杭州研究院;西安电子科技大学
主分类号: H10B12/00 分类号: H10B12/00;H10N97/00
代理公司: 杭州汇和信专利代理有限公司 33475 代理人: 陈江
地址: 311231 浙江省杭州*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种多态相边界动态随机存储器件及其制备方法,包括接入晶体管、公用底电极、若干个顶电极,公用底电极上设有MPB氧化铪基介电层,顶电极沿着竖直方向依次设置,MPB氧化铪基介电层设置在公用底电极和顶电极之间;公用底电极、MPB氧化铪基介电层以及一个顶电极构成一个MPB氧化铪基电容,多个MPB氧化铪基电容垂直堆叠。本发明针对集成电路产业的海量信息存算需求,以及“1T‑1C”DRAM随特征尺寸持续缩放的存储窗口和电荷信号密度,提供一种多态相边界动态随机存储器件及其制备方法,通过多态相边界材料的超高介电特性,显著提升DRAM电荷信号密度并支撑多值存储及存算融合DRAM应用,以满足后摩尔时代集成电路对于信息密度与功能的升级需求。
搜索关键词: 一种 多态相 边界 动态 随机 存储 器件 及其 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学杭州研究院;西安电子科技大学,未经西安电子科技大学杭州研究院;西安电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202310566279.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top