[发明专利]一种多态相边界动态随机存储器件及其制备方法有效
申请号: | 202310566279.9 | 申请日: | 2023-05-19 |
公开(公告)号: | CN116322044B | 公开(公告)日: | 2023-08-08 |
发明(设计)人: | 周久人;孙温馨;韩根全;郝跃 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学杭州研究院;西安电子科技大学 |
主分类号: | H10B12/00 | 分类号: | H10B12/00;H10N97/00 |
代理公司: | 杭州汇和信专利代理有限公司 33475 | 代理人: | 陈江 |
地址: | 311231 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明提供一种多态相边界动态随机存储器件及其制备方法,包括接入晶体管、公用底电极、若干个顶电极,公用底电极上设有MPB氧化铪基介电层,顶电极沿着竖直方向依次设置,MPB氧化铪基介电层设置在公用底电极和顶电极之间;公用底电极、MPB氧化铪基介电层以及一个顶电极构成一个MPB氧化铪基电容,多个MPB氧化铪基电容垂直堆叠。本发明针对集成电路产业的海量信息存算需求,以及“1T‑1C”DRAM随特征尺寸持续缩放的存储窗口和电荷信号密度,提供一种多态相边界动态随机存储器件及其制备方法,通过多态相边界材料的超高介电特性,显著提升DRAM电荷信号密度并支撑多值存储及存算融合DRAM应用,以满足后摩尔时代集成电路对于信息密度与功能的升级需求。 | ||
搜索关键词: | 一种 多态相 边界 动态 随机 存储 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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