[发明专利]在VDMOS与LDMOS集成平台中制备LDMOS的方法在审
| 申请号： | 202310571932.0 | 申请日： | 2023-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN116525447A | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 陈云骢;蔡晓晴;刘东华 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种在VDMOS与LDMOS集成平台中制备LDMOS的方法，在第一半导体衬底正面通过光刻暴露需要刻蚀的区域，然后进行选择性刻蚀所述第一半导体衬底上需要生长氧化膜的区域，在所述区域形成一个局部台阶状的形貌；通过氧化工艺生长一层较厚的氧化膜，其厚度使得所形成的台阶形貌能被完全覆盖；去除所述第一半导体衬底表面的氧化膜；再提供一第二半导体衬底，将所述第二半导体衬底与所述第一半导体衬底叠加在一起所述第二半导体衬底叠加于所述第一半导体的正面。本发明通过局部刻蚀、生长氧化层膜和键合技术实现了局部SOI衬底结构，在该局部SOI结构处制备LDMOS，非SOI衬底结构区域制备VDMOS，既保证了VDMOS功能的实现和性能的需求，又大大降低了集成平台下的设计和工艺难度。 | ||
| 搜索关键词： | vdmos ldmos 集成 平台 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310571932.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
