[发明专利]功率半导体器件真空烧结设备及方法在审
| 申请号： | 202310581237.2 | 申请日： | 2023-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN116544146A | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 范雯雯;范涛;吕壮志;田尉成;范若怡;施健媛;张壮 | 申请（专利权）人： | 浙江固驰电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/324;G06T7/00;G06V10/44;G06V10/80;G06V10/82;G06N3/0464;G06N3/048;G06N3/084 |
| 代理公司： | 郑州坤博同创知识产权代理有限公司 41221 | 代理人： | 朱海萍 |
| 地址： | 321402 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及智能控制领域，其具体地公开了一种功率半导体器件真空烧结设备及方法，其通过采用基于深度学习的神经网络模型挖掘出真空烧结过程中功率半导体器件的表面状态隐含特征分布信息，以此来基于实际半导体器件的表面状态情况来进行甲酸的通入量的自适应控制，从而提高抽真空及排气效率的同时避免造成甲酸的过量浪费，且避免过量的甲酸对人体及环境造成伤害。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 真空 烧结 设备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
